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TOSHIBA东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

TOSHIBA东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

作者:網站管理員    發布時間:2020-05-27    浏覽次數:

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

東芝正在擴展其降耗型泛亚电竞平台線,從而爲降低設備功耗提供幫助。

應用:

開關電源(高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)

電機控制設備(電機驅動等)

特性:

業界最低[3]功耗(通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)

業界最低[3]導通電阻:

RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

高額定通道溫度:Tch=175℃

素材來自:東芝官網

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